”mmic 异质结“ 的搜索结果

     定制MMIC利用了我们对氮化镓（GaN），砷化镓（GaAs）异质结双极晶体管（HBT）和伪像高电子迁移率晶体管（pHEMT）技术的深刻理解，以提供RF /微波业界最先进的MMIC放大器。 我们的专家集成电路（IC）工程团队一直在...

     MOSFET基础   在纯净的硅中，所有的价电子都参与了成键（下图(a)），里面没有自由电子，或者极少的自由电子，所以是电的不良导体。但可以通过在硅晶格中引入被称为掺杂剂(dopant)的少量杂质来提高它的导电性。...

     浅谈半导体工艺变革 MOSFET基础   纯净的硅中所有的价电子都参与了成键（下图(a)），里面没有自由电子是很少的，所以是电的不良导体。但它的导电性可以通过在硅晶格中引人称为掺杂剂(dopant)的少量杂质来提高。...

     真空管的发明是电子工业发展的重要动力。但是，在第二次世界大战之后，由于需要大量的分立元件，设备的复杂性和功耗显着增加，而设备的性能却不断下降，其中一个例子是波音B-29，由300~1000个真空管组成。...

     近年来随着电子技术的高速发展，越来越多的功能集成到手机中。为随时随地通过网络下载各种音视频内容、接收电视节目等等，手机将集成越来越多的RF技术，例如支持GSM、GPRS、EDGE、HSDPA、CDMA2000、WCMDA、TD-SCDMA...

     HMC582LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极晶体管(HBT)MMIC VCO。HMC582LP5(E)集成谐振器、负阻器件、变容二极管，具有半频和4分频输出。由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺方面都非常出色...

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